| 发明名称 | 晶片的减薄方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶片的减薄方法，包括：将待减薄的晶片固定到处理晶片的表面上；对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第一厚度；在所述待减薄的晶片的表面形成覆盖其中心区域的光刻胶层；去除未被所述光刻胶层覆盖的所述待减薄的晶片；去除所述光刻胶层；以及对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第二厚度。采用根据本发明的方法在保证待减薄的晶片不破裂的前提下，可以将待减薄的晶片减薄至100<img file="2011101523949100004dest_path_image001.GIF" wi="26" he="19" />以下，其厚度甚至可以达到20-50<img file="462177dest_path_image001.GIF" wi="26" he="15" />，保证随后制作的半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102820218B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201110152394.9 | 申请日期 | 2011.06.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 谢红梅;刘煊杰 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种晶片的减薄方法，包括：将待减薄的晶片固定到处理晶片的表面上；对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第一厚度；在所述待减薄的晶片的表面形成覆盖其中心区域的光刻胶层；向所述光刻胶层表面中央或接近中央的区域喷涂刻蚀剂，且在所述喷涂过程中使所述待减薄的晶片旋转，以去除未被所述光刻胶层覆盖的所述待减薄的晶片，使所述待减薄的晶片呈圆台形；去除所述光刻胶层；以及对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第二厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||