半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件，包括：衬底，位于衬底上的第一层间介质层，位于衬底上且形成于第一层间介质层内的金属栅极，位于衬底上且在金属栅极两侧的侧墙，位于第一层间介质层上覆盖金属栅极和侧墙的第二层间介质层，位于第二层间介质层内的导电插塞，所述金属栅极与第二层间介质层之间具有保护层，所述保护层与导电插塞连通。本发明有效防止金属栅极表面导电性能变差，进而使后续与金属栅极连接的导电插塞电阻降低，提高了半导体器件的可靠性和电性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成替代栅极结构，替代栅极结构两侧形成有侧墙，所述衬底上还形成有与替代栅极结构顶部齐平的第一层间介质层；以第一层间介质层为掩膜，去除替代栅极结构，形成沟槽；在沟槽底部形成栅介质层后，于第一层间介质层上形成金属层，且所述金属层填充满沟槽；研磨金属层至露出第一层间介质层后，过研磨金属层，形成金属栅极，所述金属栅极上表面的高度低于第一层间介质层的表面0～20nm；于第一层间介质层和金属栅极上形成保护层；研磨保护层至露出第一层间介质层，经过研磨后，所述保护层位于金属栅极上的厚度为1～15nm；在第一层间介质层和保护层上形成第二层间介质层后，于所述第二层间介质层内形成贯穿其厚度的导电插塞，所述导电插塞与保护层连通。