一种双面图形的硅化物复合衬底GaN基LED芯片及其制作方法

摘要

本发明涉及一种双面图形的硅化物复合衬底发光二极管及其制作方法。所述的双面图形的硅化物复合衬底发光二极管包括蓝宝石图形衬底，图形衬底是背面减薄抛光至衬底厚度80～150μm，衬底的正面和背面都制有内凹坑图形，衬底的背面内凹坑内填满有SiO₂或SiN_x后再蒸镀有一层布拉格反射膜系和一层金属膜组成的ODR介质膜，使得衬底正面内凹坑图形、背面内凹坑图形，以及背面内凹坑内的SiO₂或SiN_x共同构成具有不同折射率的复合衬底，有效提高发光二极管的外量子效率。

主权项

1.一种双面图形的硅化物复合衬底的发光二极管，包括蓝宝石图形衬底，图形衬底正面上生长有外延层，电流扩展层，P、N电极台面，SiO₂掩膜，P电极、N电极；所述的图形衬底是衬底背面减薄抛光至衬底厚度80~150μm，衬底的正面和背面都制有内凹坑图形，衬底的背面内凹坑内填满有SiO₂或SiN_x后再蒸镀有一层布拉格反射膜系和一层金属膜组成的ODR介质膜，使得衬底正面内凹坑图形、背面内凹坑图形，以及背面内凹坑内的SiO₂或SiN_x共同构成具有不同折射率的复合衬底；所述的布拉格反射膜系为SiO、SiO₂、TiO₂中的两种或两种以上，按照λ/4n厚度交替生长形成，生长周期为3~4对；所述的金属膜材料为Al、Ag或Au中的任意一种。