| 发明名称 |
光半导体装置用引线框架、其制造方法以及光半导体装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI479704 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
TW098144950 |
申请日期 |
2009.12.25 |
| 申请人 |
古河电气工业股份有限公司 |
发明人 |
小林良聪;小关和宏;菊池伸 |
| 分类号 |
H01L33/62;C25D3/46;C25D3/56 |
主分类号 |
H01L33/62 |
| 代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种光半导体装置用引线框架，系于导电性基体上形成有由银或银合金所构成之层，其特征在于：具有耐蚀性优异之金属或其合金所构成之表层做为最外层，该表层之耐蚀性优异之金属成分浓度在该表层之最表面部为50质量%以上，且其被覆厚度为0.001~0.25μm，在该表层与该银或银合金所构成之层之间形成有由该表层之主成分金属材料与银所成之固溶体层。
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| 地址 |
日本 |
