发明名称 气相成长装置及气相成长方法
摘要
申请公布号 TWI479585 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW097117575 申请日期 2008.05.13
申请人 纽富来科技股份有限公司 发明人 伊藤英树;平田博信;三谷慎一
分类号 H01L21/67;H01L21/683;H01L21/205 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种气相成长装置,系属于在圆筒状反应炉的上部具备气体供给口、在其下部具有排气口、在其内部具有用来载置晶圆的晶圆保持部件、在该晶圆保持部件与前记气体供给口之间具备气体整流板的气相成长装置,其特征为,前记气体整流板与前记晶圆保持部件的离间距离系被设定成,使得用来冷却前记晶圆的冷却用气体,是在前记晶圆面上或前记晶圆保持部件面上,成为整流状态;若令前记气体整流板与前记晶圆保持部件的离间距离为H,令前记晶圆保持部件直径为D,则满足H/D≦1/5,冷却用气体供给时,前记晶圆保持部件系以300~1500rpm之旋转数来进行旋转。
地址 日本