半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，其可以保证晶片的强度，可以提升器件性能。散热层从晶片的正面形成，到达散热层的锥形槽从背面通过利用碱性溶液的各向异性蚀刻形成，槽内散热层形成于槽的侧壁表面。反向阻断IGBT的分离层由散热层和槽内扩散层构成，可以通过形成槽内扩散层将散热层形成得较浅，可以大幅减少热扩散时间。另外，通过将形成槽内扩散层离子注入和形成集电极层的离子注入分开进行，可以针对接通电压和开关损耗间的折衷选择最佳值，同时确保反向阻断IGBT的反向阻断电压。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在第一主表面的面方位为(100)面的第一导电型的硅晶片中，使用在位于＜110＞方向切割线处的第一中心线的任一侧上都以均等宽度开口的第一掩模，从所述第一主表面侧向所述硅晶片内侧形成第二导电型的散热层的步骤；从第二主表面侧减小所述硅晶片的厚度的步骤；在所述第二主表面形成第二掩模的步骤，所述第二掩模在厚度减小的所述硅晶片的第二主表面上的所述第一中心线的投影即第二中心线的任一侧上都以均等宽度开口；使用该第二掩模，通过利用碱性溶液的各向异性蚀刻来形成从所述第二主表面到达所述散热层的槽的步骤；使用所述第二掩模，进行第一离子注入以将第二导电型的杂质注入槽的侧壁面的步骤；去除所述第二掩模，并且进行第二离子注入以将第二导电型的杂质注入所述第二主表面和所述槽的侧壁面的步骤；以及进行用于激活由所述第一离子注入和所述第二离子注入导入的所述杂质的退火处理，并且形成槽内扩散层和集电极层的步骤。