| 摘要 |
本发明是一种半导体晶圆的评价方法，其特征在于包含以下步骤：准备已知污染元素和污染量之基准晶圆；于前述基准晶圆上形成复数个包含pn接合之单元；测量前述基准晶圆的前述复数个单元的接合漏电流，获取前述基准晶圆的前述接合漏电流的分布；进行前述基准晶圆的前述接合漏电流的分布与污染元素的对应；于被测晶圆上形成复数个包含pn接合之单元；测量前述被测晶圆的前述复数个单元的接合漏电流，获取前述被测晶圆的前述接合漏电流的分布；及，基于前述对应关系，特定前述被测晶圆的污染元素。藉此，提供一种半导体晶圆的评价方法，其可高精度地评价高品质晶圆的接合漏电流特性，并简化金属元素的特定，该金属元素成为起因于金属污染而导致漏电的原因，而该高品质晶圆是使用于固态摄像元件这类的会因为晶圆的品质而影响良率的制品中。 |
