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发明名称
近接曝光装置及近接曝光方法
摘要
本发明提供一种于进行曝光时在晶片之位置与遮罩之图案之位置产生偏移之情形时,可获得良好之曝光精度之近接曝光装置及近接曝光方法。;近接曝光装置10包括:对准相机50,其于复数个部位计测遮罩M之图案P之开口部与晶片41之位置偏移;及反射镜调整机构70,其具有分别支持平面镜38之周缘部或背面之复数个支持机构71、及可将该复数个支持机构71分别移动之复数个马达75,且使平面镜38局部弹性变形;且该近接曝光装置10系藉由基于复数个部位之位置偏移量而分别驱动复数个马达75,使平面镜38局部弹性变形,而调整曝光之光之光轴EL'以矫正该位置偏移。
申请公布号
TW201512788
申请公布日期
2015.04.01
申请号
TW103125171
申请日期
2014.07.22
申请人
安士克科技股份有限公司 NSK TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人
佐治伸仁 SAJI, NOBUHITO;冈谷秀树 OKATANI, HIDEKI;舛添敦 MASUZOE, ATSUSHI;鸟越恒光 TORIGOE, TSUNEMITSU
分类号
G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01)
主分类号
G03F7/20(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本 JP
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