发明名称 抗硫化的晶片电阻及其制法
摘要
申请公布号 TWI479514 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW101136473 申请日期 2008.02.26
申请人 韦司海中间科技公司 发明人 贝尔曼 麦可;阿肯曼 里欧尼德
分类号 H01C1/012;H01C17/28 主分类号 H01C1/012
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种晶片电阻,其包括:一绝缘基板,其具有一顶表面;一第一和第二顶终端电极,其易受硫化影响且安置在该基板的顶表面的相对侧上;一电阻性元件,其位在该第一和第二顶终端电极之间并且电性连接该第一和第二顶终端电极;一外部非导体保护覆层,其系覆盖该电阻性元件的至少一部分和该第一和第二顶终端电极的至少一部分;第一和第二已金属化边缘,其形成在邻近该第一和第二顶终端电极之该外部非导体保护覆层上,以允许镀覆;以及一金属镀覆层,其覆盖该第一和第二顶终端电极的至少一暴露部分和形成在该外部非导体保护覆层上的该等已金属化边缘,并且直接黏着至该第一和第二顶终端电极以及该等已金属化边缘,因此将该第一和第二顶终端电极密封以隔绝外部环境并且保护该第一和第二顶终端电极避免硫化。
地址 美国