基于矽／碳材料之ＰＭＯＳ与ＮＭＯＳ电晶体的性能提升

主权项

一种在第一导电类型之第一电晶体和第二导电类型之第二电晶体中形成受应变半导体材料之方法，该方法包括下列步骤：在该第一电晶体之第一闸极电极结构和该第二电晶体之第二闸极电极结构上方形成间隔件层；该第一闸极电极结构系包括第一盖层，以及该第二闸极电极结构系包括第二盖层；在该间隔件层上方形成蚀刻终止层；于该蚀刻终止层上方形成第一遮罩；该第一遮罩系覆盖该第二电晶体并暴露该第一电晶体；形成该第一遮罩后，自该第一电晶体上方移除该蚀刻终止层；自该第一电晶体上方移除该蚀刻终止层后，于该第一闸极电极结构之侧壁从该间隔件层形成第一侧壁间隔件；之后使用该第一侧壁间隔件与该第一盖层作为遮罩而于该第一电晶体之第一汲极和源极区域形成第一孔穴；于该第一孔穴中形成第一受应变半导体材料；形成该第一受应变半导体材料后，于该第二闸极电极结构之侧壁从该间隔件层形成第二侧壁间隔件，且之后使用该第二侧壁间隔件与该第二盖层作为遮罩而于
该第二电晶体之第二汲极和源极区域中形成第二孔穴；以及形成相对于在该第二孔穴中之该第一受应变半导体材料具有不同的材料成分之第二受应变半导体材料。