发明名称 |
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
摘要 |
半導体装置の製造方法は、シリコン基板(101)上に平面状シリコン層(107)を形成し、平面状シリコン層上に第1及び第2の柱状シリコン層(104,105)とを形成する第1の工程と、第1及び第2の柱状シリコン層の周囲にゲート絶縁膜(113)を形成し、ゲート絶縁膜の周囲に金属膜(115)及びポリシリコン膜(116)を成膜し、ポリシリコン膜の膜厚を第1及び第2の柱状シリコン層との間の間隔の1/2の長さよりも薄くし、第3のレジスト(117)を堆積し、第1及び第2の柱状半導体層の上部側壁のポリシリコン膜を露出させ、露出したポリシリコン膜をエッチングにより除去し、第3のレジストを剥離し、金属膜をエッチングにより除去する第2の工程と、ゲート配線(119c)を形成するための第4のレジスト(118)を形成し、異方性エッチングを行い、ゲート配線、第1のゲート電極、及び第2のゲート電極を形成する第3の工程と、を有する。 |
申请公布号 |
JP5692886(B1) |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
JP20140520854 |
申请日期 |
2013.04.19 |
申请人 |
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドUnisantis Electronics Singapore Pte Ltd. |
发明人 |
舛岡 富士雄;原田 望;中村 広記;リ, イーソ;カマス, アシット ラマチャンドラ;ツェン, ツィシャン;プア, テン スン;ワン, キンペン;ロー, パトリック グオチャン |
分类号 |
H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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