一种形成石墨烯互连线的方法

摘要

本发明提供一种形成石墨烯互连线的方法，其包括以下步骤：提供目标衬底；接着在目标衬底上形成均匀且厚度可控的碳源层；在碳源层上淀积金属催化层；然后在预设温度下采用退火工艺将淀积的碳源层转化为石墨烯层；随后去除金属催化层；最后采用光刻和刻蚀工艺对石墨烯层图案化，以形成石墨烯互连线。本发明提供的一种形成石墨烯互连线的方法，能够直接在目标衬底上制备出预设厚度的石墨烯互连线，无需额外的石墨烯转移工艺，解决了现有技术中石墨烯薄膜易损伤的问题，方法简单，与传统CMOS工艺相兼容，有利于石墨烯技术发展和应用。

主权项

一种形成石墨烯互连线的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一目标衬底；步骤S02：在所述目标衬底上形成均匀且厚度可控的碳源层；步骤S03：在所述碳源层上淀积金属催化层；步骤S04：对所述金属催化层、碳源层以及目标衬底进行退火工艺，以使所述碳源层在所述金属催化层的作用下转变成石墨烯层；步骤S05：去除所述金属催化层；步骤S06：对所述石墨烯层进行光刻和刻蚀工艺，在所述目标衬底上形成石墨烯互连线。