发明名称 |
固态图像传感器、固态成像装置和相机装置 |
摘要 |
本技术涉及固态图像传感器、固态成像装置和相机装置,即使单元尺寸减小,也能使白斑不明显。该固态图像传感器包括:寄存器单元,形成为延伸在第一方向上的n型杂质区域;读取单元,构造为将来自该光电转换单元的电荷读入该寄存器单元中,并且形成为延伸在与该寄存器单元相同方向上的p型杂质区域;水平元件隔离单元,构造为防止电荷从该光电转换单元泄漏,并且形成为延伸在与该寄存器单元相同方向上的p型杂质区域;以及多个转移电极,构造为施加电压以改变该寄存器单元的电位分布,其中,该转移电极当中具有预定低值的待机电压的低位电极之下形成该寄存器单元的n型杂质总量小于待机电压高于该预定低值的中位电极之下形成该寄存器单元的n型杂质总量。 |
申请公布号 |
CN104488083A |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201380039045.3 |
申请日期 |
2013.06.25 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
藤冈丈志;黑瀬朋纪;田中弘明 |
分类号 |
H01L27/148(2006.01)I;H04N5/359(2006.01)I;H04N5/369(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/148(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
李晓舒 |
主权项 |
一种固态图像传感器,包括:寄存器单元,构造为传输储存在光电转换单元中的电荷,并且形成为沿第一方向延伸的n型杂质区域;读取单元,构造为将来自所述光电转换单元的电荷读入所述寄存器单元中,并且形成为沿与所述寄存器单元相同方向延伸的p型杂质区域;水平元件隔离单元,构造为防止电荷从所述光电转换单元泄漏,并且形成为沿与所述寄存器单元相同方向延伸的p型杂质区域;以及多个转移电极,构造为施加电压以改变所述寄存器单元的电位分布,其中,所述转移电极当中具有预定低值的待机电压的低位电极之下形成该寄存器单元的n型杂质总量小于待机电压高于所述预定低值的中位电极之下形成所述寄存器单元的n型杂质总量。 |
地址 |
日本东京都 |