发明名称 |
一种数模转换器及逐次逼近存储转换器 |
摘要 |
本发明提供一种数模转换器及逐次逼近存储转换器,具体包括:通过在电荷重新分布式DAC的电容阵列结构中加入电容值可调的集成电容来抵消DAC电容阵列结构中产生的寄生电容,提高了DAC数模转换的精度;通过将接入电容值可调的集成电容的DAC接入SAR ADC,在提高了DAC数模转换精度的同时,也提高了SARADC模数转换的精度。 |
申请公布号 |
CN102594353B |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201110006834.X |
申请日期 |
2011.01.13 |
申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
发明人 |
王飞;操礼程;郝颖丽 |
分类号 |
H03M1/38(2006.01)I |
主分类号 |
H03M1/38(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种电荷重新分布式数模转换器DAC,其特征在于,所述DAC的电容阵列结构中包括用于抵消该电容阵列结构中产生的第一寄生电容的集成电容;所述集成电容的电路结构中包括至少一条设有开关的支路,支路上的开关与该支路上的至少一个电容并联,通过所述开关的开启和关闭调节集成电容的电容值;所述DAC的低a位采用C‑2C的电容阵列结构,中间b位采用二进制加权的电容阵列结构,高c位采用温度计译码电路,并在二进制加权的电容阵列结构的最高位和温度计译码电路的最低位之间串联所述集成电容,其中a,b,c均为正整数。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 |