线性高电子移动率电晶体;LINEAR HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

摘要

本揭示内容的实施例说明一积体电路(Integrated Circuit，IC)装置的设备、方法、以及系统。该IC装置包含：一氮化镓(GaN)缓冲层，其被形成在一基板上；一氮化铝镓(AlGaN)层，其被形成在该GaN缓冲层上；以及一氮化铟铝阻障层，其被形成在该AlGaN层上。本发明亦可能说明及/或主张其它实施例。