半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

一种半导体装置包括一形成于一基体上的超晶格缓冲层。一上缓冲层是形成在该超晶格缓冲层上。一第一半导体层是以一氮化物半导体形成在该上缓冲层上。一第二半导体层是以一氮化物半导体形成在该第一半导体层上。一闸极电极、一源极电极和一汲极电极是形成在该第二半导体层上。该超晶格缓冲层是藉由循环往复地层叠具有不同成份的氮化物半导体薄膜来被形成。该上缓冲层是以一种具有一比该第一半导体层之带隙宽之带隙的氮化物半导体材料形成而且是以一致使受体能阶之深度大于或者相等于0.5eV的杂质元件掺杂。