接触缩减蚀刻中用于优先缩减及偏置控制的方法;METHOD FOR PREFERENTIAL SHRINK AND BIAS CONTROL IN CONTACT SHRINK ETCH

摘要

本发明提供一种用以提供缩减蚀刻的方法，其中待蚀刻于目标层中的特征部具有主要及次要尺寸，而该主要尺寸大于该次要尺寸。在遮罩之缩减蚀刻中，尺寸系自遮罩的图案化之阻挡物者减少，然而，利用知技术，缩减蚀刻不合意地在主要轴尺寸上缩减较大量。藉由在缩减蚀刻之前处理阻挡物，缩减系变得更加均匀，且如有需要，根据在此之制程，主要轴上的缩减量可与次要轴方向上之该者相同或较之更小。