非挥发性半导体储存装置以及其控制方法;NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF

摘要

一非挥发性记忆体单元阵列被分为第一单元阵列以及第二单元阵列，页面缓冲电路设置于第一单元阵列以及第二单元阵列之间，且第二闩锁电路设置于第一单元阵列的外缘区域，且页面缓冲电路透过第一单元阵列之总体位元线连接至上述第二闩锁电路。控制资料写入至第一单元阵列或第二单元阵列系藉由在资料写入时，当写入资料被闩锁于第二闩锁电路中之后，透过第一单元阵列之总体位元线将写入资料从第二闩锁电路传送至页面缓冲电路。控制从第一单元阵列或第二单元阵列读取的资料输出至外部电路系藉由在资料读取时，透过第一单元阵列之总体位元线将资料从页面缓冲电路传送至第二闩锁电路。