半導体装置及びその製造方法、電源装置

摘要

半導体装置を、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦̸ｘ≦̸１）を含む量子ドット（６）と、量子ドットを埋め込み、ｎ型Ｉｎｘ（ＧａｙＡｌ１−ｙ）１−ｘＮ（０≦̸ｘ≦̸１、０≦̸ｙ≦̸１）を含む埋込層（７）とを備える量子ドット層（８）を複数積層させた構造を有するドリフト層（２）を備えるものとする。