| 摘要 |
<p>ウエハから素子を切り出す際の位置決めが容易で、基板の劈開による剥がれや割れ等の損傷を抑制することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。発光素子１０は、互いに反対側に位置する第１及び第２の主面１ａ、１ｂ、第１の主面１ａ及び劈開面に平行な方向に平行な第１の側面１ｃと、第１の側面１ｃと交差する第２の側面１ｄを有するＧａ2Ｏ3基板１１と、Ｇａ2Ｏ3基板１１の第１の主面１ａに形成されたＧａＮ系半導体層１２と、Ｇａ2Ｏ3基板１１の第２の主面１ｂと第２の側面１ｄとの角部に形成され、ダイシングブレードでＧａ2Ｏ3ウエハ基板１１を素子単位に分割する際の剥離を抑制する凹部としての段差部１５とを備える。</p> |
