セラミックス部材、半導体製造装置用部材及びセラミックス部材の製造方法

摘要

本発明のセラミックス部材３０は、酸化マグネシウムにＡｌ、Ｎ成分が固溶したＭｇ（Ａｌ）Ｏ（Ｎ）を主相とするセラミックス基体３２と、セラミックス基体３２の一部に配置され窒化物、炭化物、炭窒化物及び金属のいずれか１以上を電極成分として含む電極３４とを備えている。このセラミックス基体３２は、ＣｕＫα線を用いたときの記Ｍｇ（Ａｌ）Ｏ（Ｎ）の（１１１）面、又は（２００）面、又は（２２０）面のＸＲＤピークがそれぞれ酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である２&thetas;＝３６．９〜３９?、４２．９〜４４．８?、６２．３〜６５．２?に現れるものとしてもよい。