| 摘要 |
生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、ＳｉＣやＴａＣなどの被膜が形成されたサセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置、該ＣＶＤ装置を用いたサセプターの製造方法、及びサセプターを提供する。炭素質基材１０の裏面部にはマスキング部（凹部）２０が配置されている。マスキング部２０は、第１孔部２０ａと、第２孔部２０ｂからなる。第１孔部２０ａの内壁には雌ネジ部２１が形成されている。雌ネジ部２１にはマスキング冶具７の雄ネジ部７ａが螺合されている。マスキング冶具７は被膜形成用冶具２に固定される。これにより、炭素質基材は起立姿勢で支持され、この支持状態で装置内部にガスを導入することにより凹部を除く炭素質基材の表面にＳｉＣやＴａＣの被膜が形成される。 |
