| 摘要 |
<p>基板（１）上にゲート電極（２）を形成する工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜（３）を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にソース電極（４Ｓ）及びドレイン電極（４Ｄ）を形成する工程と、ソース電極及びドレイン電極上に犠牲層（５）を形成する工程と、犠牲層上に隔壁層（６Ｒ）を形成する工程と、隔壁層をパターニングすることにより、犠牲層の一部を露出させて開口を形成する工程と、露出させた犠牲層を除去することにより、ソース電極及びドレイン電極を露出させる工程と、ソース電極及びドレイン電極の上面とゲート絶縁膜の上面とにわたって有機半導体層（７）を形成する工程とを含み、開口から露出したソース電極及びドレイン電極の表面積は、開口面積の５０％以上であり、ソース電極とドレイン電極との間隔は、ソース電極及びドレイン電極の上に少なくとも一部が位置する有機半導体層の結晶の平均結径よりも小さい。</p> |
