超音波トランスデューサデバイス及びこれを製造する方法

摘要

本発明は、超音波を送信及び／又は受信する少なくとも１つのｃＭＵＴセル３０を有する超音波トランスデューサデバイスに関する。このｃＭＵＴセル３０は、セルメンブレン３０ａ及びセルメンブレンの下のキャビティ３０ｂを有する。このデバイスは更に、第１の側面１０ａ及び第２の側面１０ｂを持つ基板１０を有する。少なくとも１つのｃＭＵＴセル３０が、基板１０の第１の側面１０ａに配置される。基板１０は、基板基層１２と、基板側面１０ａ、１０ｂに直交する方向において基板１０へと延在する複数の隣接する溝１７ａとを有する。スペーサ１２ａが、隣接する溝１７ａの間でそれぞれ形成される。基板１０は更に、溝１７ａを接続し、基板側面１０ａ、１０ｂに平行な方向において延在する接続キャビティ１７ｂを有する。溝１７ａ及び接続キャビティ１７ｂは、基板１０において一緒に基板キャビティ１７を形成する。基板１０は更に、基板キャビティ１７を覆う基板メンブレン２３を有する。基板キャビティ１７は、ｃＭＵＴセル３０の下の基板１０の領域に配置される。本発明は更に、斯かる超音波トランスデューサデバイスを製造する方法に関する。