多接合型太陽電池、光電変換素子及び化合物半導体層・積層構造体

摘要

下地と格子整合がとれており、所望のバンドギャップを有する副セルを備えた多接合型太陽電池を提供する。第１化合物半導体層と第２化合物半導体層が積層されて成る副セル11,12,13,14の複数が積層されて成り、少なくとも１つの所定の副セル11は、第1-A層11AAと第1-B層11ABとが積層された第１層11A1,11A2、及び、第2-A層11CAと第2-B層11CBとが積層された第２層11Cから構成され、所定の副セル11におけるバンドギャップの値に基づき第1-A層11AA及び第2-A層11CAの組成-Aが決定され、下地の下地・格子定数と組成-Aの格子定数との差に基づき第1-B層11AB及び第2-B層11CBの組成-Bが決定され、下地・格子定数と組成-Bの格子定数との差並びに第1-A層11AAの厚さ及び第2-A層11CAの厚さに基づき、第1-B層11AB及び第2-B層11CBの厚さが決定される。