发明名称 半導体装置および半導体装置の製造方法
摘要 半導体装置は、金属ベース(6)と、金属ベース(6)に接合された配線基板(2)と、配線基板(2)の回路パターン(2a,2b)に接合された半導体チップ(1)および制御端子(5)と、金属ベース(6)に接着された樹脂ケース(20)と、で構成される。制御端子(5)は、樹脂ケース(20)の蓋(21)を貫通する貫通部(5a)と、貫通部(5a)に連結された連結部(5b)と、連結部(5b)に連結された接続部(5c)とからなる。制御端子(5)の蓋(21)を貫通する部分には阻止部(5d)および切り抜き部(5e)が設けられている。阻止部(5d)は、蓋(21)のおもて面に形成される段差(21b)に接触する。阻止部(5d)は、貫通部(5a)が樹脂ケース(20)の蓋(21)を貫通するときに、切り抜き部(5e)内に収納される。連結部(5b)は、蓋(21)の裏面に設けられた凸部(21c)に接触する。
申请公布号 JPWO2013047101(A1) 申请公布日期 2015.03.26
申请号 JP20130536111 申请日期 2012.09.03
申请人 富士電機株式会社 发明人 高宮 喜和;小平 悦宏;大西 一永
分类号 H01L23/48;H01L25/04;H01L25/18 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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