| 摘要 |
<p>Halbleiter-Bauelement mit: einer ersten Halbleiterregion; einer zweiten Halbleiterregion; einer dritten Halbleiterregion; einer vierten Halbleiterregion; einer Isolationsschicht, welche an einer inneren Wand einer Vertiefung angeordnet ist, welche sich von einer oberen Oberfläche bis zur zweiten Halbleiterregion erstreckt; eine Steuerelektrode, die auf einer Region der Isolationsschicht an einer Seitenoberfläche der Vertiefung angeordnet ist; einer ersten Hauptelektrode, die mit der ersten Halbleiterregion verbunden ist; einer zweiten Hauptelektrode, welche mit der vierten Halbleiterregion verbunden ist; und einer Bodenelektrode, welche auf der Isolationsschicht angeordnet und mit der zweiten Hauptelektrode elektrisch verbunden ist, wobei eine Länge der Vertiefung in ihrer Verlängerungsrichtung größer oder gleich einer Breite der Vertiefung ist, und die Breite der Vertiefung größer ist als das Intervall zwischen den benachbarten Vertiefungen.</p> |
