エッチング方法及び装置

摘要

酸化シリコン膜の窒化シリコン膜に対する選択比を高くできるエッチング方法及び装置を提供する。処理容器１０に、プラズマ励起用ガス及びＣＨＦ系ガスを含む処理ガスを、ＣＨＦ系ガスのプラズマ励起用ガスに対する流量比が１／１５以上になるように導入する。処理容器１０内にプラズマを発生させることによって、処理容器１０内の基板Ｗに形成された酸化シリコン膜５を前記窒化シリコン膜１に対して選択的にエッチングする。