| 摘要 |
<p>炭化珪素半導体素子は、（０００１）Ｓｉ面から傾斜した主面を有する炭化珪素基板と、炭化珪素基板の主面に配置された炭化珪素層と、炭化珪素層に配置され、底面、側壁、および、側壁と炭化珪素層の上面との間に位置する上部コーナー領域を含むトレンチと、トレンチの側壁の少なくとも一部、上部コーナー領域の少なくとも一部、および炭化珪素層上面の少なくとも一部の上に配置されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極とを備え、上部コーナー領域は、炭化珪素層の上面とも側壁を構成する面とも異なる面を含み、ゲート電極は、ゲート絶縁膜のうち上部コーナー領域上に位置する第１部分および側壁上に位置する第２部分の両方と接しており、ゲート絶縁膜の第１部分の厚さは、ゲート絶縁膜のうち炭化珪素層の上面の上に位置する第３部分の厚さよりも大きく、ゲート電極の端部は、上部コーナー領域上に位置する。</p> |
