| 摘要 |
<p>【要約書】Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｃ２ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットをスパッタリングしてウエハ上に成膜した際、ＣまたはＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素またはＣとＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素とからなる化合物の直径０．２０μｍ以上のパーティクルの数が平均３０個以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。このように、銅に適切な量のＭｎ元素を添加すると共に、カーボンの量を制限することにより、スパッタリングの際のパーティクル発生を効果的に抑制することができる。特に、自己拡散抑制機能を有した半導体用銅合金配線を形成するために有用な、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供する。【選択図】なし</p> |
