发明名称 窒化物半導体発光素子およびLEDシステム
摘要 <p>本開示の窒化物半導体発光素子は、発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、発光層は、主面がm面であるInxGa1-xN井戸層(0<x≰1)を含み、InxGa1-xN井戸層におけるIn組成比xの深さ方向プロファイル(depth profile)は複数のピークを有しており、複数のピークのそれぞれにおけるIn組成比xの値は異なっている。</p>
申请公布号 JPWO2013046564(A1) 申请公布日期 2015.03.26
申请号 JP20120551819 申请日期 2012.09.12
申请人 パナソニック株式会社 发明人 井上 彰;吉田 俊治;横川 俊哉
分类号 H01L33/06;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/48 主分类号 H01L33/06
代理机构 代理人
主权项
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