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发明名称
窒化物半導体発光素子およびLEDシステム
摘要
<p>本開示の窒化物半導体発光素子は、発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、発光層は、主面がm面であるInxGa1-xN井戸層(0<x≰1)を含み、InxGa1-xN井戸層におけるIn組成比xの深さ方向プロファイル(depth profile)は複数のピークを有しており、複数のピークのそれぞれにおけるIn組成比xの値は異なっている。</p>
申请公布号
JPWO2013046564(A1)
申请公布日期
2015.03.26
申请号
JP20120551819
申请日期
2012.09.12
申请人
パナソニック株式会社
发明人
井上 彰;吉田 俊治;横川 俊哉
分类号
H01L33/06;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/48
主分类号
H01L33/06
代理机构
代理人
主权项
地址
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