| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, umfassend Einleiten eines Reaktionsgases enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente und Wasserstoff in einen Reaktor enthaltend eine Bodenplatte, ein auf der Bodenplatte befestigtes Reaktoroberteil und wenigstens einen durch direkten Stromdurchgang erhitzten Trägerkörper, auf dem polykristallines Silicium abgeschieden wird, so dass wenigstens ein polykristalliner Siliciumstab erhalten wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach Beendigung der Abscheidung während des Ausbaus des wenigstens einen polykristallinen Siliciumstabs aus dem Reaktor eine Schutzhülle oder eine Schutzwand seitlich um den Reaktor herum angebracht ist. |
