Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (10) mit einer aus Siliziumcarbid zusammengesetzten Halbleiterschicht (14) einer ersten Leitungsart, wobei die Halbleiterschicht (14) der ersten Leitungsart einen Halbleiterbereich (18) einer zweiten Leitungsart aufweist, der an einer oberen Oberfläche der Halbleiterschicht der ersten Leitungsart freigelegt ist, das Verfahren umfasst die Schritte: Ausbilden einer ersten Schicht (24) auf der oberen Oberfläche der Halbleiterschicht (14) der ersten Leitungsart, wobei die erste Schicht (24) aus Nickel oder einer Nickel enthaltenden Legierung ausgebildet ist; Ausbilden einer zweiten Schicht (26) auf der oberen Oberfläche der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht (26) aus Siliziumoxid ausgebildet ist; Entfernen eines Teils der zweiten Schicht (26), wobei das Teil einer Position des Halbleiterbereichs (18) der zweiten Leitungsart entspricht; und Injizieren von Ionendotierstoffen der zweiten Leitungsart von der oberen Seite bezüglich der ersten und zweiten Schicht in die Halbleiterschicht (14) der ersten Leitungsart nach dem Entfernungsschritt.