发明名称 |
高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料。所述热敏电阻材料包括下述组分:Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、NiO、AlN和SiO<sub>2</sub>,其中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、NiO、AlN和SiO<sub>2</sub>的摩尔比为1:0.2~0.5:0.1~0.3:0.2~0.7:0.4~0.7。该热敏电阻材料具有良好的负温度系数热敏特性,在300~500℃温区的电阻率为5.0×10<sup>7</sup>~6.0×10<sup>9</sup>Ω·m,材料特性常数B值为5400K—13000K。同时该热敏电阻材料还具有粒径小、粒径分布均匀,稳定性好的良好特性。本发明还提供了所述热敏电阻材料的制备方法。本发明所述制备方法中原材料来源广泛,制备工艺简单,易于掌握,生产成本低,具有较广阔的市场应用前景。 |
申请公布号 |
CN104446391A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410707875.5 |
申请日期 |
2014.11.28 |
申请人 |
成都德兰特电子科技有限公司 |
发明人 |
康雪雅 |
分类号 |
C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/10(2006.01)I |
代理机构 |
四川力久律师事务所 51221 |
代理人 |
熊晓果;刘雪莲 |
主权项 |
一种高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料,其特征在于,所述热敏电阻材料包括下述组分:Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、NiO、AlN和SiO<sub>2</sub>,所述Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、NiO、AlN和SiO<sub>2</sub>的摩尔比为1:0.2~0.5:0.1~0.3:0.2~0.7:0.4~0.7。 |
地址 |
610050 四川省成都市高新区天府大道中段1388号 |