发明名称 高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料。所述热敏电阻材料包括下述组分:Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、NiO、AlN和SiO<sub>2</sub>,其中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、NiO、AlN和SiO<sub>2</sub>的摩尔比为1:0.2~0.5:0.1~0.3:0.2~0.7:0.4~0.7。该热敏电阻材料具有良好的负温度系数热敏特性,在300~500℃温区的电阻率为5.0×10<sup>7</sup>~6.0×10<sup>9</sup>Ω·m,材料特性常数B值为5400K—13000K。同时该热敏电阻材料还具有粒径小、粒径分布均匀,稳定性好的良好特性。本发明还提供了所述热敏电阻材料的制备方法。本发明所述制备方法中原材料来源广泛,制备工艺简单,易于掌握,生产成本低,具有较广阔的市场应用前景。
申请公布号 CN104446391A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410707875.5 申请日期 2014.11.28
申请人 成都德兰特电子科技有限公司 发明人 康雪雅
分类号 C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/10(2006.01)I
代理机构 四川力久律师事务所 51221 代理人 熊晓果;刘雪莲
主权项 一种高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料,其特征在于,所述热敏电阻材料包括下述组分:Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、NiO、AlN和SiO<sub>2</sub>,所述Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、NiO、AlN和SiO<sub>2</sub>的摩尔比为1:0.2~0.5:0.1~0.3:0.2~0.7:0.4~0.7。
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