| 发明名称 | 硅片及其生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧浓度为5×10<sup>17</sup>-7.5×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度：在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×10<sup>8</sup>cm<sup>-3</sup>；和在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×10<sup>9</sup>cm<sup>-3</sup>，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104451889A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410643571.7 | 申请日期 | 2011.08.08 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | W·冯阿蒙;G·基辛格;D·科特 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B33/04(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 一种氧浓度为5×10<sup>17</sup>‑7.5×10<sup>17</sup>cm<sup>‑3</sup>的硅片，其具有以下BMD密度：‑BMD密度为至多1×10<sup>8</sup>cm<sup>‑3</sup>，前提是将所述硅片在780℃加热3小时并随后在1000℃加热16小时；或者‑BMD密度为至少1×10<sup>9</sup>cm<sup>‑3</sup>，前提是以1K/min的加热速率将所述硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃保持16小时。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||