一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置

摘要

本实发明涉及一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置。方法具体包括以下步骤：第一步，用运载气体携带半导体材料经由进料分配器均匀地分布在坩锅内底部，即进行第一级浓度分布；第二步，加热升华成气相的半导体材料同运载气体一起穿过多孔透气膜进行第二级浓度分布后，进入坩锅和致密外壳之间的空间；第三步，气相半导体材料同运载气体在坩锅和致密外壳之间的空间内完成第三级浓度分布；第四步，气相半导体材料同运载气体经致密外壳底部的出气通道进行第四级浓度分布后，沉积在表面温度比气相半导体材料温度底的所述玻璃基板的上表面上，即形成半导体薄膜。本发明显著提高了在玻璃基板上沉积形成的薄膜的厚度和质量的均匀性。

主权项

一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法，其特征在于：事先，准备一气相沉积器，该气相沉积器具有一敞口上设有多孔透气膜的坩锅、设于坩锅内底部的进料分配器以及一套置于坩锅外的致密外壳，致密外壳的底部设有出气通道；在一真空沉积腔内，放置所述气相沉积器，并将所述玻璃基板放置在致密外壳的下方，与所述出气通道相对；具体包括以下步骤：第一步，用运载气体携带半导体材料经由进料分配器均匀地分布在坩锅内底部，即进行第一级浓度分布；第二步，加热坩锅、多孔透气膜以及致密外壳，保证多孔透气膜和致密外壳的温度高于坩锅，使坩锅内的半导体材料受热，升华成气相的半导体材料同运载气体一起穿过多孔透气膜进行第二级浓度分布后，进入坩锅和致密外壳之间的空间；第三步，气相半导体材料同运载气体在坩锅和致密外壳之间的空间内完成第三级浓度分布；第四步，气相半导体材料同运载气体经致密外壳底部的出气通道进行第四级浓度分布后，沉积在表面温度比气相半导体材料温度底的所述玻璃基板的上表面上，即形成半导体薄膜。