| 发明名称 | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可增强薄膜晶体管的栅控能力，使其性能保持长期稳定，并进一步提高其使用寿命。该薄膜晶体管包括第一栅极、位于第一栅极上方的栅绝缘层、位于栅绝缘层上方的半导体有源层、与半导体有源层相接触的源极和漏极；还包括层间绝缘层和第二栅极；其中，所述层间绝缘层设置在第二栅极和半导体有源层之间。用于显示器件的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN104465788A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201510001865.4 | 申请日期 | 2015.01.04 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括第一栅极、位于所述第一栅极上方的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的半导体有源层、与所述半导体有源层相接触的源极和漏极；其特征在于，还包括层间绝缘层和第二栅极；其中，所述层间绝缘层设置在所述第二栅极和所述半导体有源层之间。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||