| 发明名称 | 包含N掺杂硅的太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光伏打装置，包括具有N掺杂硅基的第一半导体区域(2)，及具有P掺杂硅的第二半导体区域(3)。该两个半导体区域构造为形成PN结。该第一半导体区域(2)无硼且包含浓度至少等于N型掺杂杂质的浓度的20％的P型掺杂杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN104471725A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201380024709.9 | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 阿波朗.索拉尔公司;澳大利亚国立大学 | 发明人 | M.福斯特;R.艾因豪斯;A.奎瓦斯 |
| 分类号 | H01L31/068(2012.01)I;H01L31/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/068(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种光伏打装置，包括：第一半导体区域(2)，其由N掺杂硅制成；第二半导体区域(3)，其由P掺杂硅制成且构造成与该第一半导体区域(2)形成PN或PIN结；其特征在于，该第一半导体区域(2)包含浓度至少等于N型掺杂杂质的浓度的20％的P型掺杂杂质。 | ||
| 地址 | 法国里昂 | ||