发明名称 半导体装置
摘要 本发明公开一种半导体装置。半导体装置包括一主动鳍片区(active fin region)、至少一栅极条以及一虚拟鳍片区(dummy fin region)。主动鳍片区包括至少一主动鳍片(active fin)。栅极条形成于主动鳍片区上,并延伸跨过主动鳍片。虚拟鳍片区形成于主动鳍片区的两侧,虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin),虚拟鳍片形成于栅极条的两侧。
申请公布号 CN104465751A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201310421327.1 申请日期 2013.09.16
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 洪世芳;邱崇益
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯
主权项 一种半导体装置,包括:主动鳍片区(active fin region),包括至少一主动鳍片(active fin);至少一栅极条,形成于该主动鳍片区上,并延伸跨过该主动鳍片;以及虚拟鳍片区(dummy fin region),形成于该主动鳍片区的两侧,该虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin),该些虚拟鳍片形成于该栅极条的两侧。
地址 中国台湾新竹科学工业园区