一种基于应力分布的电子收集器实现方法

摘要

本发明涉及一种基于应力分布的电子收集器实现方法，包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定三个电子迁移率值；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率u_r和环向电子迁移率u_θ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的电子迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，通过半导体的迁移率大小和应力大小的关系，计算得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的应力分布；5)计算得到C区域的应力分布；6)根据求解得到应力分布，将各区域分别施加相应应力，即制作得到一电子收集器。本发明可以广泛应用于半导体器件、太阳能等领域。

主权项

一种基于应力分布的电子收集器实现方法，其特征在于包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域，具体过程为：1.1)采用半导体材料制作一基底，根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，在基底上设置一环形电子收集区域，并将环形电子收集区域间隔分割成若干扇形区域；1.2)将所有扇形区域分别定义为A扇形区域和B扇形区域相间分布，环形电子收集区域以外的区域定义为C区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定三个电子迁移率值，其中，三个电子迁移率值分别为环形电子收集区域周围的电子迁移率μ₀，环形电子收集区域的径向电子迁移率μ_r以及环形电子收集区域的环向电子迁移率μ_θ；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率u_r和环向电子迁移率u_θ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的电子迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，通过半导体的迁移率大小和应力大小的关系，计算得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的应力分布；5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ₀，通过半导体的迁移率大小和应力大小的关系，计算得到C区域的应力分布；6)根据求解得到的A扇形区域、B扇形区域以及C区域的应力分布，将各区域分别施加相应应力，即制作得到一电子收集器。