| 发明名称 | 低密度SiC纳米纤维及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低密度SiC纳米纤维及其制备方法，所述的SiC纳米纤维密度约为0.3-0.6克/立方厘米（商品化SiC密度约为1.1-1.3克/立方厘米），纤维直径为100-500纳米，长径比大于100。该SiC纳米纤维采用静电纺丝技术结合高温碳热还原法制备而成，得到的SiC纳米纤维分布均匀。本发明提供的SiC纳米纤维制备方法简单易行，原材料价格低廉，纤维的结构形貌容易控制，是一种综合性较强、适于工业化推广的合成技术。 | ||
| 申请公布号 | CN104451957A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410618306.3 | 申请日期 | 2014.11.06 |
| 申请人 | 福州大学 | 发明人 | 龙金林;汪颖;王绪绪;张子重;林华香 |
| 分类号 | D01F9/10(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | D01F9/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种低密度SiC纳米纤维，其特征在于：所述的SiC纳米纤维的密度为0.3‑0.6 g/cm<sup>3</sup>，纤维直径为100‑500纳米，长径比大于100。 | ||
| 地址 | 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 | ||