| 发明名称 | 一种平面沟道的半浮栅器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种平面沟道的半浮栅器件的制造方法。本发明采用后栅工艺来制备平面沟道的半浮栅器件，在形成源接触区和漏接触区后，先刻蚀掉多晶硅控制栅牺牲材料，然后使金属控制栅材料占据原来的多晶硅控制栅牺牲材料的位置，形成金属控制栅，可以避免金属控制栅在源接触区和漏接触区的高温退火过程中被损伤，提高了平面沟道的半浮栅器件的性能。同时，本发明还利用自对准工艺来制造半浮栅器件的源接触区和漏接触区，工艺过程简单且稳定，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104465381A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310433668.0 | 申请日期 | 2013.09.23 |
| 申请人 | 苏州东微半导体有限公司 | 发明人 | 刘磊;刘伟 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人 | 陆明耀;陈忠辉 |
| 主权项 | 一种平面沟道的半浮栅器件的制造方法，其特征在于：采用后栅工艺制备平面沟道的半浮栅器件，在形成源接触区和漏接触区后，先刻蚀掉多晶硅控制栅牺牲材料，然后使金属控制栅材料占据原来的多晶硅控制栅牺牲材料的位置，形成金属控制栅。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号C2-201 | ||