发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置,其中方法包括在衬底基板上形成漏极和源极;形成具有凹槽的平坦化层;形成上表面与平坦化层的上表面平齐的触控金属层;形成第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层和像素电极层。应用本发明,改善了薄膜晶体板阵列基板的表面凹凸程度,增加了PI膜与阵列基板间的黏附性,提高了显示装置的显示性能。 |
申请公布号 |
CN104460093A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410856155.5 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
杜海波;申智渊;明星;占伟;虞晓江 |
分类号 |
G02F1/1333(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1333(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
朱绘;张文娟 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成漏极和源极;在包括漏极和源极的图形上形成平坦化层,并使所述平坦化层具有用于容置触控金属层的凹槽;在所述平坦化层上形成触控金属层,并使所述触控金属层的上表面与所述平坦化层的上表面平齐;在包括所述平坦化层和所述触控金属层的图形上依次形成具有过孔的第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层和像素电极层,并使触控金属层通过所述过孔与公共电极层电连接,且源极通过公共电极层与像素电极层电连接。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |