| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层、位于介质层表面的阻挡层以及位于阻挡层表面的牺牲膜；依次刻蚀所述牺牲膜、阻挡层和介质层，在半导体衬底表面形成替代栅极结构，所述替代栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的刻蚀阻挡层和位于刻蚀阻挡层表面的牺牲层；对所述刻蚀阻挡层进行氮化处理。本发明降低了半导体器件的等效栅氧化层厚度，优化了半导体器件的电学性能，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104465378A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310429739.X | 申请日期 | 2013.09.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层、位于介质层表面的阻挡层以及位于阻挡层表面的牺牲膜；依次刻蚀所述牺牲膜、阻挡层和介质层，在半导体衬底表面形成替代栅极结构，所述替代栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的刻蚀阻挡层和位于刻蚀阻挡层表面的牺牲层；对所述刻蚀阻挡层进行氮化处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||