发明名称 | 一种防电源反接电路 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种防电源反接电路,包括MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电容C1和齐纳二极管D1,电阻R2和齐纳二极管D1并联,并联电路在齐纳二极管D1负极端串联电阻R1,MOS管Q1栅极连接电阻R2和齐纳二极管D1组成并联电路的齐纳二极管D1阴极,MOS管Q1源极连接电阻R2和齐纳二极管D1组成的并联电路的齐纳二极管D1阳极,电容C1一端连接MOS管Q1漏极,另一端连接电阻R1的另一端。电容C1与电阻R2连接的那端连电源正极,MOS管Q1漏极与电容C1相连的那端连电源负极,整个电路导通。如果反接,供电电源无法接通。在大电流电路中应用此种电路,大大降低生产成本又能很好防止电路反接。 | ||
申请公布号 | CN204230891U | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
申请号 | CN201420785098.1 | 申请日期 | 2014.12.12 |
申请人 | 安徽艾可蓝节能环保科技有限公司 | 发明人 | 刘屹;朱庆;朱弢;朱志强;秦亮 |
分类号 | H02H11/00(2006.01)I | 主分类号 | H02H11/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 毛雁妮 |
主权项 | 一种防电源反接电路,其特征在于,包括MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电容C1和齐纳二极管D1,所述电阻R2和齐纳二极管D1并联,所述并联电路在齐纳二极管D1阴极端串联电阻R1,所述MOS管Q1栅极连接电阻R2和齐纳二极管D1组成并联电路的齐纳二极管D1阴极端,所述MOS管Q1源极连接电阻R2和齐纳二极管D1组成并联电路的齐纳二极管D1阳极端,所述电容C1一引脚连接MOS管Q1漏极,另一引脚连接电阻R1另一端。 | ||
地址 | 247000 安徽省池州市贵池区工业园区 |