发明名称 |
封装晶片上的电子元件的方法 |
摘要 |
一种封装电子元件的方法,包括以下步骤:在半导体晶片的第一表面形成电子元件;在第一表面上形成包括被绝缘材料分开的导电迹线和通孔的互连叠层;在互连叠层上形成第一接合焊盘和第二接合焊盘;减薄半导体晶片,但至少除其周缘外;用第一树脂层充满该减薄区域;安装至少一个第一芯片在第一接合焊盘上,并且在第二接合焊盘上形成焊料凸块;沉积第二树脂层覆盖第一芯片,以及部分覆盖焊料凸块;在第一树脂层上粘接胶带;并且将结构划片成单独的芯片。 |
申请公布号 |
CN102097338B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201010548135.3 |
申请日期 |
2010.11.16 |
申请人 |
意法半导体(图尔)公司 |
发明人 |
马克·费隆;文森特·贾里;劳伦特·巴罗 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;边海梅 |
主权项 |
一种封装电子元件的方法,包括以下步骤:(a)在半导体晶片(10)的内部及第一表面上方形成电子元件;(b)在晶片的第一表面上形成包括被绝缘材料分开的导电迹线(20)和通孔的互连叠层(18);(c)在互连叠层上形成第一接合焊盘和第二接合焊盘(24B,24A);(d)减薄半导体晶片(10),但除其周缘(28)外;(e)用第一树脂层(38)充满该减薄区域;(f)安装至少一个第一芯片(42)在第一接合焊盘(24B)上,并且在第二接合焊盘(24A)上形成焊料凸块(44);(g)沉积第二树脂层(46)覆盖第一芯片(42),以及部分覆盖焊料凸块(44);(h)在第一树脂层(38)上粘接胶带(48);并且(i)将所得的封装结构划片成单独的芯片。 |
地址 |
法国图尔 |