一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法

摘要

一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，属于半导体技术领域，先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层，再蒸镀遮光层，行Lift-off处理后，经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤；再在GaN基上涂布负型聚酰亚胺薄膜、烘烤、曝光、显影、定影，得到聚酰亚胺的微图形；然后对聚酰亚胺的微图形进行低温固化，去除GaN基上的残余金属遮光层后，再对聚酰亚胺的微图形进行高温固化。用此聚酰亚胺图形充当GaN芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、深沟槽填充物，尤其能够解决多芯片组件的表面平坦化的问题。

主权项

一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，其特征在于包括以下步骤：1）利用紫外光刻技术在以蓝宝石或Si或SiC为衬底的GaN基材料表面上制备负型光刻胶几何图形掩膜层；2）利用真空蒸镀设备在步骤1）具有光刻胶几何图形的GaN基上蒸镀一金属层作为光刻聚酰亚胺的遮光层；3）利用去胶液对步骤2）形成的所述遮光层先进行Lift‑off处理，然后将半制品先后经丙酮和无水乙醇浸泡后，再用去离子水冲洗干净，最后置于100～150℃的烘箱内烘烤5～20min；4）利用旋涂法在步骤3）所述的GaN基上涂布一层均匀的负型聚酰亚胺薄膜，并置于100～150℃烘箱内烘烤3～10min；5）采用步骤1）中使用的掩模版为光刻掩模版对负型聚酰亚胺薄膜进行曝光，再经显影液显影、以定影液乙酸丁酯定影，得到聚酰亚胺的微图形；6）对所述聚酰亚胺的微图形进行0～300℃的低温固化；7）用盐酸水溶液或者氢氟酸水溶液去除GaN基上的残余金属遮光层；8）对聚酰亚胺的微图形进行300℃～400℃高温固化处理30～60min。