| 发明名称 | 金属互连层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属互连层的形成方法，包括：在铜金属互连层的表面依次沉积第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层NDC，将所述第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层作为刻蚀终止层；在所述掺氮的碳化硅层表面沉积钝化层；图案化刻蚀所述钝化层和刻蚀终止层，用于在所述图案化之后的位置沉积形成与所述铜金属互连层电性连接的焊盘或者上层铜金属互连层。采用本发明能够提高键合剪切力测试的通过率。 | ||
| 申请公布号 | CN104465491A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310438334.2 | 申请日期 | 2013.09.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王平;陈志刚 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种金属互连层的形成方法，包括：在铜金属互连层的表面依次沉积第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层NDC，将所述第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层作为刻蚀终止层；在所述掺氮的碳化硅层表面沉积钝化层；图案化刻蚀所述钝化层和刻蚀终止层，用于在所述图案化之后的位置沉积形成与所述铜金属互连层电性连接的焊盘或者上层铜金属互连层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||