半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置。本实施方式的半导体装置具备：半导体基板；上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸大的第1接触插塞；覆盖第1接触插塞的第1绝缘膜；下端部接合于第1接触插塞的上端部且上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸小的第2接触插塞；覆盖第2接触插塞的第2绝缘膜；在下端部接合有第2接触插塞的上端部的布线层；覆盖布线层的第3绝缘膜；和在第1接触插塞的上端部中的未由第2接触插塞的下端部覆盖的部分所形成的台阶。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第1接触插塞，其上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸大；第1绝缘膜，其形成在所述半导体基板上，覆盖所述第1接触插塞；第2接触插塞，其下端部接合于所述第1接触插塞的上端部，其上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸小；第2绝缘膜，其形成在所述第1绝缘膜以及所述第1接触插塞之上，覆盖所述第2接触插塞；布线层，在其下端部接合有所述第2接触插塞的上端部；和第3绝缘膜，其形成在所述第2绝缘膜以及所述第2接触插塞之上，覆盖所述布线层，还具备台阶，该台阶形成在所述第1接触插塞的上端部中的、未被所述第2接触插塞的下端部所覆盖的部分。