| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 根据本发明实施例的一种半导体器件包括半导体层。栅极电介质膜被设置在所述半导体层的表面上。栅电极通过所述栅极电介质膜而被设置在所述半导体层上。第一导电类型的漏极层被设置在所述半导体层的位于所述栅电极的第一端侧的部分中。第二导电类型的源极层被设置在所述半导体层的位于所述栅电极的第二端侧以及位于所述栅电极下方的部分中。所述源极层在所述半导体层的位于所述栅电极下方的所述部分处具有基本均匀的杂质浓度。相同极性的电压被施加到所述栅电极和所述漏极层。 | ||
| 申请公布号 | CN104465760A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410082105.6 | 申请日期 | 2014.03.07 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 近藤佳之;后藤正和;川中繁;宫田俊敬 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 贺月娇;杨晓光 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体层；栅极电介质膜，其被设置在所述半导体层的表面上；栅电极，其通过所述栅极电介质膜而被设置在所述半导体层上；第一导电类型的漏极层，其被设置在所述半导体层的位于所述栅电极的第一端侧的部分中；以及第二导电类型的源极层，其被设置在所述半导体层的位于所述栅电极的第二端侧以及所述栅电极下方的部分中，所述源极层在所述半导体层的位于所述栅电极下方的所述部分处具有基本均匀的杂质浓度，其中相同极性的电压被施加到所述栅电极和所述漏极层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||